Dal Laboratory for Thin Films and Photovoltaics dell’Empa una nuova tecnologia che rende i pannelli solari flessibili efficienti al 22%.
L’evoluzione del settore fotovoltaico batte un nuovo record con i nuovi pannelli solari flessibili in CIGS (di-seleniuro di rame indio gallio) prodotti dal Laboratorio per film sottili e fotovoltaico dell’Empa e presentati a Milano, lo scorso 26 settembre.
Il professor Ayodhnya, a capo del laboratorio, e la sua squadra avevano già conquistato un’importante vetta lo scorso anno, raggiungendo una conversione del 21,4% di luce catturata in elettricità.
Quest’anno l’ennesimo record, ultima tappa di un percorso costellato da evoluzioni partito nel 1999, quando il team di ricercatori era stato in grado di raggiungere un dato di efficienza – allora inedito – del 12.8%. Da quel momento ci sono stati miglioramenti progressivi di anno in anno fino a oggi, con lo sviluppo di una tecnologia CIGS caratterizzata da una capacità di assorbimento solare molto elevata, che consente di produrre pellicole che, a differenza degli altri semiconduttori tradizionalmente utilizzati, sono molto più sottili.
I pannelli di ultima generazione risultano più flessibili e questo li rende molto più adatti ad essere applicati su diversi tipi di edifici, su veicoli o dispositivi portatili o per supportare il funzionamento di satelliti e altre strutture aerospaziali.
Il progresso è stato lento e costante perché, come ha spiegato in una nota l’istituto, per ogni minimo incremento occorre avere chiaro il quadro complessivo dei fattori in grado di mitigare le prestazioni, e a partire da questa analisi essere in grado di elaborare soluzioni specifiche.
La capacità di conversione dei pannelli solari flessibili Empa è un unicum nel panorama del fotovoltaico globale, reso possibile dallo strato semiconduttore con cui sono costituiti, formato da una lega in grado di assorbire la luce in maniera più efficiente, migliorando le proprietà elettroniche.
I pannelli flessibili in CIGS sono lavorati con una pellicola di polimeri che attraverso la coevaporazione low temperature rilascia il semiconduttore. A completare l’innovazione, l’intervento del professor Shiro Nishiwaki, lo scienziato Empa che ha lavorato sullo strato deputato all’assorbimento migliorandone la capacità assorbente e aumentandone la tensione di uscita.
